PVD主要是一種物理制程而非化學制程。此技術一般使用氬等鈍氣，藉由在高真空中將氬離子加速以撞擊濺鍍靶材后，可將靶材原子一個個濺擊出來，并使被濺擊出來的材質（通常為鋁、鈦或其合金）如雪片般沉積在晶圓表面。　PVD以真空、濺射、離子化或離子束等方法使純金屬揮發(fā)，與碳化氫、氮氣等氣體作用，加熱至400～600℃（約1～3小時）後，蒸鍍碳化物、氮化物、氧化物及硼化物等1～10μm厚之微細粒狀薄膜。 　

PVD可分為三種技術：
   (1)蒸鍍（Evaporation）；
   (2)分子束外延成長（Molecular Beam Epitaxy MBE）；
   (3)濺鍍（Sputter）
 PVD技術有兩種基本工藝：

蒸鍍法和濺鍍法。前者是通過把被蒸鍍物質(如鋁)加熱，利用被蒸鍍物質在高溫下(接近物質的熔點)的飽和蒸氣壓，來進行薄膜沉積；后者是利用等離子體中的離子，對被濺鍍物質電極進行轟擊，使氣相等離子體內具有被濺鍍物質的粒子，這些粒子沉積到硅表面形成薄膜。在集成電路中應用的許多金屬或合金材料都可通過蒸鍍或濺鍍的方法制造。  淀積鋁也稱為金屬化工藝，它是在真空設備中進行的。在硅片的表面形成一層鋁膜。