各種沉積手段的混合運用也是上海PVD技術(shù)的最新進(jìn)展之一，經(jīng)過多種粒子源的組合運用，可以消除單一沉積手段的缺點，獲得良好的效果，如在離子鍍中，采用脈沖激光作為蒸發(fā)源，而后對蒸氣進(jìn)行等離子體化，加上偏壓，這樣既可以提高沉積效率，又可以改善沉積粒子的活性，提高沉積能量。在蒸鍍中，采用熱絲電子發(fā)射，使蒸氣原子離化，就可以對基片加上偏壓，獲得具有轟擊效果的沉積膜層。

真空陰極電弧和磁控濺射技術(shù)組合沉積技術(shù)，也是近年來實際應(yīng)用到工業(yè)生產(chǎn)中的一種復(fù)合技術(shù)。等離子體的引入，可以同時對濺射中的原子進(jìn)行離化；同時，濺射又可以輔助電弧沉積的穩(wěn)定性。

由于應(yīng)用對象的不斷擴(kuò)展，PVD處理的材料由原來的刀具等硬質(zhì)合金材料不斷向中低合金鋼、模縣鋼，乃至有色金屬等材料類型擴(kuò)展。為保證PVD表面處理后被處理件整體的性能不下降，降低PVD處理溫度，在較低的溫度下獲得性能優(yōu)良的沉積層，已成為PVD技術(shù)研究的一個主要問題。

磁控濺射是PVD技術(shù)中低溫沉積最有效的方法。磁控濺射時，電子被暗場罩或?qū)ｉT附加的陽極吸收掉，得到基體的溫度比傳統(tǒng)濺射的要低，通過一些特殊的手段可以使基體的溫度降至接近室溫，可使塑料或其他溫度敏感材料作為基體進(jìn)行沉積處理。1998年Teel Coating Ltd.提出了在低溫下采用磁控濺射沉積高質(zhì)量TiN、TiCN鍍層的技術(shù)，基體溫度可降至低于70℃，從而擴(kuò)大了類似鍍層可能應(yīng)用的范圍。英國的Loughborough大學(xué)近年來成功地在室溫條件下使磁控濺射過程中的基體溫度從350～500℃降低到150℃左右，并成功地將TiN、CrN涂層用于人工牙齒模具表面和銅焊接觸頭表面，提高了其使用壽命5～10倍。可以看出，低溫沉積方法及工藝研究是非常有意義的，也是很有前途的。