PVD（物理氣相沉積）鍍膜工藝是一種在真空條件下，采用物理方法將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態(tài)原子或分子，或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。PVD鍍膜技術(shù)主要分為三類：真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。

以下是PVD鍍膜工藝的基本過程及一些具體的工藝參數(shù)：

1. 真空蒸發(fā)鍍膜：

• 基本過程：

1. 加熱膜材，使之蒸發(fā)或升華，成為具有一定能量的氣態(tài)粒子（原子、分子和原子團(tuán)）。

2. 氣態(tài)粒子以無碰撞的直線飛行輸運(yùn)到基體表面。

3. 氣態(tài)粒子凝聚形成核后生長(zhǎng)成固相薄膜。

4. 薄膜的原子重組排列或產(chǎn)生化學(xué)鍵合。

• 參數(shù)示例（熱蒸發(fā)）：

• 襯底溫度：根據(jù)具體材料和需求而定。

• 蒸發(fā)材料：根據(jù)所需薄膜的材質(zhì)而定。

• 真空度：高真空，以保證蒸發(fā)材料的純凈和薄膜的均勻性。

• 蒸發(fā)速率：根據(jù)蒸發(fā)材料和基體材料而定，需控制在一定范圍內(nèi)以保證薄膜質(zhì)量。

2. 真空濺射鍍膜：

• 基本過程：

1. 在電場(chǎng)或磁場(chǎng)的作用下，高能離子轟擊靶材表面，使靶材原子或分子被濺射出來。

2. 濺射出來的原子或分子在真空中飛行并沉積在基體表面形成薄膜。

• 參數(shù)示例（射頻磁控濺射）：

• 濺射氣體：如氬氣等惰性氣體，用于產(chǎn)生高能離子。

• 射頻功率：控制離子轟擊靶材的能量和濺射速率。

• 真空度：高真空，以減少氣體分子對(duì)濺射原子的碰撞和散射。

• 靶材與基體的距離：影響濺射原子的飛行距離和薄膜的均勻性。

3. 真空離子鍍膜：

• 基本過程與真空濺射鍍膜類似，但增加了電離過程，使濺射出來的原子或分子形成離子并沉積在基體表面。

• 參數(shù)示例：與真空濺射鍍膜類似，但還需考慮電離過程的參數(shù)設(shè)置，如電離電壓、電離電流等。

需要注意的是，PVD鍍膜工藝的參數(shù)設(shè)置需要根據(jù)具體的材料、設(shè)備和需求進(jìn)行調(diào)整和優(yōu)化。同時(shí)，PVD鍍膜技術(shù)也在不斷發(fā)展中，新的工藝和參數(shù)也在不斷涌現(xiàn)。因此，在實(shí)際應(yīng)用中，需要根據(jù)具體情況進(jìn)行選擇和調(diào)整。